Über die Sammlung
In Teltow wurde eine Vielzahl von elektrischen Widerständen produziert:
Als Nachfolgebetrieb des Porzellanwerkes in Teltow entstand ab 1929 das Dralowid-Werk (Drahtlose Widerstände).
Im Jahr 1932 erfolgte die Umwandlung der Teltower Porzellanfabrik in eine Verkaufs-GmbH. Gleichzeitig begann die Verlagerung des Dralowid-Werkes von Pankow nach Teltow. Diese Verlagerung war 1935 abgeschlossen und die Produktion von Widerständen lief voll an.
1948 wurden die größeren Betriebe - auch das Dralowid Werk - in Volkseigentum (VEB) überführt.
Der Firmenname wechselte 1953 von VEB Dralowid zu VEB Werk für Bauelemente der Nachrichtentechnik "Carl von Ossietzky" (CvO).
Bereits seit 1952 erfolgte die Entwicklung und Laborproduktion von Halbleiterbauelementen. So wurden bis 1956 Keramikdioden, Germaniumdioden und erste Siliziumdioden, Glasdioden, Golddraht und Fotodioden entwickelt. Später erfolgte die Entwicklung von Leistungstransistoren und die Züchtung von Reinstsilizium.
1960 wurde die Halbleiterentwicklung- und Fertigung aus dem WBN ausgegliedert und das Institut für Halbleitertechnik "IHT" in Teltow in der ehemaligen Seifen- und Parfümfabrik Lohse - heute Lavendel-Residenz - gegründet. Dieses Institut bildete die Grundlage für das später gegründete Halbleiterwerk Stahnsdorf.